三星 DDR6 内存的速度几乎是 DDR5 的两倍

三星是半导体领域的领先公司。它生产相机传感器、存储器、芯片组、存储器、电池等。这家韩国公司正在积极朝所有这些方向努力。但在具体方向上取得突破是一回事，将其带给最终用户则是另一回事。例如，最近三星副总裁高永光在韩国水原举行的研讨会上表示，随着存储半导体变得越来越强大，封装技术必须共同发展。对此，他表示，将 MSAP 工艺应用于其 DDR6内存芯片将使三星能够制造具有更精细电路的芯片。

正如The Elec报道的那样，三星的竞争对手在此之前已经将 MSAP 封装技术用于 DDR5 内存。但三星希望更进一步，将其用于 DDR6。

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传统封装方法仅覆盖电路图案区域并蚀刻掉​​其他区域。但是在 MSAP 封装中，除了电路之外的区域都是镀膜的，而空白区域是电镀的，从而可以实现更精细的电路。

三星本周早些时候推出了其首款用于显卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 芯片。相应的报道称，该公司正处于 DDR6 开发的早期阶段。如果相信去年发布的一份报告，三星将在 2024 年完成 DDR6 内存的设计。

预计 DDR6 的速度是 DDR5 的两倍，并且内存通道数量是其两倍。DDR6(JEDEC)可实现约12800Mbps的传输速率，支持超频至17000Mbps。