三星今年或将发布其首款 236 层 NAND 闪存芯片

三星可能会在今年年底前发布其首款超过 200 层的NAND闪存芯片，从而将堆栈从目前的 176 层限制增加。三星一直是市场领导者，旨在保持其领先于 SK 海力士、美光科技和铠侠等竞争对手的地位。

据报道，这家韩国科技巨头将在今年年底前发布 236 层 NAND 闪存芯片。为实现这一目标，三星还计划在 8 月底之前建立一个新的研发中心，该公司将在那里研发更先进的 NAND 闪存技术。(通过BusinessKorea)

Extreme 2-stack 技术支持多达 256 层

据推测，三星将依靠其 Extreme 2-stack 技术在 2022 年底之前为其 NAND 闪存芯片实现 236 层。该公司几年前宣布了其 Extreme 2-stack 技术。它使用极端蚀刻来实现比竞争对手采用的方法更高的堆叠。

事实上，三星使用相同的 Extreme 2-stack 分层技术来制造其目前的 176 层 NAND 闪存芯片。理论上，或者更具体地说，“从数学上讲”，Extreme 2-stack 分层允许总共 256 层。然而，三星在几年前设定了 176 层的限制，因为它选择了当时的最佳配置，而不是它可以达到的最大层数。